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기술적 세부 사항

  • 시리즈:-
  • 꾸러미:Tube
  • 부품 상태:Active
  • 구동 구성:Half-Bridge
  • 채널 유형:Synchronous
  • 드라이버 수:2
  • 게이트 유형:N-Channel MOSFET
  • 전압-공급:6.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-vil, vih:-

 

  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크):1.25A, 2A
  • 입력 유형:Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩):36 V
  • 상승 / 하강 시간 (일반):26ns, 18ns
  • 작동 온도:0°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지 / 케이스:10-VFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지:10-DFN (3x3)

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