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기술적 세부 사항

  • 시리즈:-
  • 꾸러미:Tube
  • 부품 상태:Active
  • 구동 구성:Half-Bridge
  • 채널 유형:Independent
  • 드라이버 수:2
  • 게이트 유형:IGBT, N-Channel MOSFET
  • 전압-공급:10V ~ 20V
  • 논리 전압-vil, vih:0.8V, 2.5V

 

  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크):1.9A, 2.3A
  • 입력 유형:Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩):600 V
  • 상승 / 하강 시간 (일반):40ns, 20ns
  • 작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지 / 케이스:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지:8-SOIC

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