기술적 세부 사항

• 시리즈:-
• 꾸러미:Bulk
• 부품 상태:Active
• fet 유형:2 N-Channel (Half Bridge)
• fet 기능:Silicon Carbide (SiC)
• 소스 전압으로 드레인 (vdss):1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):300A (Tc)
• rds on (최대) @ id, vgs:-

• vgs (th) (최대) @ id:5.6V @ 91mA
• 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:-
• 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:14000pF @ 10V
• 전력-최대:1260W (Tc)
• 작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형:Chassis Mount
• 패키지 / 케이스:Module
• 공급자 장치 패키지:Module