기술적 세부 사항

• 시리즈:-
• 꾸러미:Box
• 부품 상태:Active
• fet 유형:2 N Channel (Phase Leg)
• fet 기능:Silicon Carbide (SiC)
• 소스 전압으로 드레인 (vdss):1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):495A (Tc)
• rds on (최대) @ id, vgs:5.2mOhm @ 240A, 20V

• vgs (th) (최대) @ id:2.8V @ 6mA
• 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:1392nC @ 20V
• 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:18.1pF @ 1000V
• 전력-최대:2.031kW (Tc)
• 작동 온도:-40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형:Chassis Mount
• 패키지 / 케이스:Module
• 공급자 장치 패키지:D3