- 부품 번호VS-GB200TH120N
- 상표Vishay General Semiconductor – Diodes Division
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명IGBT MOD 1200V 360A INT-A-PAK
- 범주트랜지스터-igbts-모듈
재고: 3,985
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기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Bulk
- 부품 상태:Obsolete
- igbt 유형:-
- 구성:Half Bridge
- 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):1200 V
- 전류-수집기 (ic) (최대):360 A
- 전력-최대:1136 W
- vce (on) (최대) @ vge, ic:2.35V @ 15V, 200A
- 전류-콜렉터 차단 (최대):5 mA
- 입력 커패시턴스 (cies) @ vce:14.9 nF @ 25 V
- 입력:Standard
- ntc 서미스터:No
- 작동 온도:150°C (TJ)
- 장착 유형:Chassis Mount
- 패키지 / 케이스:Double INT-A-PAK (3 + 4)
- 공급자 장치 패키지:Double INT-A-PAK
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