- 부품 번호TW070J120B,S1Q
- 상표Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 273
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가격:
- 1$33.97
기술적 세부 사항
- 시리즈:*
- 꾸러미:Tube
- 부품 상태:Active
- fet 유형:N-Channel
- 과학 기술:SiCFET (Silicon Carbide)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):1200 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):36A (Tc)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):20V
- rds on (최대) @ id, vgs:90mOhm @ 18A, 20V
- vgs (th) (최대) @ id:5.8V @ 20mA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:67 nC @ 20 V
- vgs (최대):±25V, -10V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:1680 pF @ 800 V
- fet 기능:Standard
- 전력 손실 (최대):272W (Tc)
- 작동 온도:-55°C ~ 175°C
- 장착 유형:Through Hole
- 공급자 장치 패키지:TO-3P(N)
- 패키지 / 케이스:TO-3P-3, SC-65-3
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