- 부품 번호TPH3208PD
- 상표Transphorm
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
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기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Tube
- 부품 상태:Obsolete
- fet 유형:N-Channel
- 과학 기술:GaNFET (Gallium Nitride)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):650 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):20A (Tc)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):10V
- rds on (최대) @ id, vgs:130mOhm @ 13A, 8V
- vgs (th) (최대) @ id:2.6V @ 300µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:14 nC @ 8 V
- vgs (최대):±18V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:760 pF @ 400 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):96W (Tc)
- 작동 온도:-55°C ~ 150°C
- 장착 유형:Through Hole
- 공급자 장치 패키지:TO-220AB
- 패키지 / 케이스:TO-220-3
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