- 부품 번호TK6A65D(STA4,Q,M)
- 상표Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 3,563
즉시 배송 가능
가격:
- 1$1.7242
- 50$1.26302
기술적 세부 사항
- 시리즈:π-MOSVII
- 꾸러미:Tube
- 부품 상태:Active
- fet 유형:N-Channel
- 과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):650 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):6A (Ta)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):10V
- rds on (최대) @ id, vgs:1.11Ohm @ 3A, 10V
- vgs (th) (최대) @ id:4V @ 1mA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:20 nC @ 10 V
- vgs (최대):±30V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:1050 pF @ 25 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):45W (Tc)
- 작동 온도:150°C (TJ)
- 장착 유형:Through Hole
- 공급자 장치 패키지:TO-220SIS
- 패키지 / 케이스:TO-220-3 Full Pack
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