- 부품 번호TC58BYG2S0HBAI6
- 상표Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
- 범주기억
재고: 338
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기술적 세부 사항
- 시리즈:Benand™
- 꾸러미:Tray
- 부품 상태:Active
- 메모리 유형:Non-Volatile
- 메모리 형식:FLASH
- 과학 기술:FLASH - NAND (SLC)
- 메모리 크기:4Gb (512M x 8)
- 메모리 인터페이스:Parallel
- 클록 주파수:-
- 쓰기주기 시간-단어, 페이지:25ns
- 액세스 시간:25 ns
- 전압-공급:1.7V ~ 1.95V
- 작동 온도:-40°C ~ 85°C (TA)
- 장착 유형:Surface Mount
- 패키지 / 케이스:67-VFBGA
- 공급자 장치 패키지:67-VFBGA (6.5x8)
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