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기술적 세부 사항

  • 시리즈:Benand™
  • 꾸러미:Tray
  • 부품 상태:Active
  • 메모리 유형:Non-Volatile
  • 메모리 형식:FLASH
  • 과학 기술:FLASH - NAND (SLC)
  • 메모리 크기:4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스:Parallel

 

  • 클록 주파수:-
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지:25ns
  • 액세스 시간:25 ns
  • 전압-공급:2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도:-40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지 / 케이스:63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지:63-TFBGA (9x11)

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