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기술적 세부 사항

  • 시리즈:-
  • 꾸러미:Tray
  • 부품 상태:Active
  • 트랜지스터 유형:GaN HEMT
  • 회수:30MHz ~ 4GHz
  • 이득:17.5dB
  • 전압-테스트:32 V

 

  • 현재 등급 (암페어):-
  • 노이즈 피겨:-
  • 현재-테스트:100 mA
  • 전력-출력:20W
  • 전압-정격:120 V
  • 패키지 / 케이스:8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지:8-QFN (5x6)

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