- 부품 번호STD6NM60N-1
- 상표STMicroelectronics
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 2,785
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기술적 세부 사항
- 시리즈:MDmesh™ II
- 꾸러미:Tube
- 부품 상태:Obsolete
- fet 유형:N-Channel
- 과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):600 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):4.6A (Tc)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):10V
- rds on (최대) @ id, vgs:920mOhm @ 2.3A, 10V
- vgs (th) (최대) @ id:4V @ 250µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:13 nC @ 10 V
- vgs (최대):±25V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:420 pF @ 50 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):45W (Tc)
- 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Through Hole
- 공급자 장치 패키지:I-PAK
- 패키지 / 케이스:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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