- 부품 번호SSM6N61NU,LF
- 상표Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
- 범주트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
재고: 2,289
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기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 부품 상태:Active
- fet 유형:2 N-Channel (Dual)
- fet 기능:Logic Level Gate, 1.5V Drive
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):20V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):4A
- rds on (최대) @ id, vgs:33mOhm @ 4A, 4.5V
- vgs (th) (최대) @ id:1V @ 1mA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:3.6nC @ 4.5V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:410pF @ 10V
- 전력-최대:2W
- 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 패키지 / 케이스:6-WDFN Exposed Pad
- 공급자 장치 패키지:6-UDFNB (2x2)
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