기술적 세부 사항
- 시리즈:SiT8009B
- 꾸러미:Strip
- 부품 상태:Active
- 기본 공진기:MEMS
- 유형:XO (Standard)
- 회수:125 MHz
- 함수:Standby (Power Down)
- 산출:HCMOS, LVCMOS
- 전압-공급:2.25V ~ 3.63V
- 주파수 안정성:±25ppm
- 절대 인장 범위 (4 월):-
- 작동 온도:-20°C ~ 70°C
- 확산 스펙트럼 대역폭:-
- 전류-공급 (최대):7.5mA
- 등급:-
- 장착 유형:Surface Mount
- 패키지 / 케이스:4-SMD, No Lead
- 크기 / 치수:0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
- 높이-장착 (최대):0.039" (1.00mm)
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