- 부품 번호SIS606BDN-T1-GE3
- 상표Vishay / Siliconix
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 1,667
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가격:
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- 15,000$0.67438
기술적 세부 사항
- 시리즈:TrenchFET® Gen IV
- 꾸러미:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 부품 상태:Active
- fet 유형:N-Channel
- 과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):100 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):7.5V, 10V
- rds on (최대) @ id, vgs:17.4mOhm @ 10A, 10V
- vgs (th) (최대) @ id:4V @ 250µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:30 nC @ 10 V
- vgs (최대):±20V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:1470 pF @ 50 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):3.7W (Ta), 52W (Tc)
- 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 공급자 장치 패키지:PowerPAK® 1212-8
- 패키지 / 케이스:PowerPAK® 1212-8
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