- 부품 번호SI5509DC-T1-GE3
- 상표Vishay / Siliconix
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
- 범주트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
재고: 3,904
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기술적 세부 사항
- 시리즈:TrenchFET®
- 꾸러미:Tape & Reel (TR)
- 부품 상태:Obsolete
- fet 유형:N and P-Channel
- fet 기능:Logic Level Gate
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):20V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):6.1A, 4.8A
- rds on (최대) @ id, vgs:52mOhm @ 5A, 4.5V
- vgs (th) (최대) @ id:2V @ 250µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:6.6nC @ 5V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:455pF @ 10V
- 전력-최대:4.5W
- 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 패키지 / 케이스:8-SMD, Flat Lead
- 공급자 장치 패키지:1206-8 ChipFET™
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