- 부품 번호SH8M4TB1
- 상표ROHM Semiconductor
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
- 범주트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
재고: 3,140
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기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 부품 상태:Not For New Designs
- fet 유형:N and P-Channel
- fet 기능:Logic Level Gate
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):30V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):9A, 7A
- rds on (최대) @ id, vgs:18mOhm @ 9A, 10V
- vgs (th) (최대) @ id:2.5V @ 1mA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:15nC @ 5V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:1190pF @ 10V
- 전력-최대:2W
- 작동 온도:150°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 패키지 / 케이스:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 공급자 장치 패키지:8-SOP
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