- 부품 번호SCTWA50N120
- 상표STMicroelectronics
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 1,240
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가격:
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기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Tube
- 부품 상태:Active
- fet 유형:N-Channel
- 과학 기술:SiCFET (Silicon Carbide)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):1200 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):65A (Tc)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):20V
- rds on (최대) @ id, vgs:69mOhm @ 40A, 20V
- vgs (th) (최대) @ id:3V @ 1mA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:122 nC @ 20 V
- vgs (최대):+25V, -10V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:1900 pF @ 400 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):318W (Tc)
- 작동 온도:-55°C ~ 200°C (TJ)
- 장착 유형:Through Hole
- 공급자 장치 패키지:HiP247™
- 패키지 / 케이스:TO-247-3
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