- 부품 번호SCT3120ALGC11
- 상표ROHM Semiconductor
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명SICFET N-CH 650V 21A TO247N
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 3,265
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기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Tube
- 부품 상태:Active
- fet 유형:N-Channel
- 과학 기술:SiCFET (Silicon Carbide)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):650 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):21A (Tc)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):18V
- rds on (최대) @ id, vgs:156mOhm @ 6.7A, 18V
- vgs (th) (최대) @ id:5.6V @ 3.33mA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:38 nC @ 18 V
- vgs (최대):+22V, -4V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:460 pF @ 500 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):103W (Tc)
- 작동 온도:175°C (TJ)
- 장착 유형:Through Hole
- 공급자 장치 패키지:TO-247N
- 패키지 / 케이스:TO-247-3
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