- 부품 번호R6009JND3TL1
- 상표ROHM Semiconductor
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명MOSFET N-CH 600V 9A TO252
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 2,566
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- 1$2.36
기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 부품 상태:Active
- fet 유형:N-Channel
- 과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):600 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):9A (Tc)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):15V
- rds on (최대) @ id, vgs:585mOhm @ 4.5A, 15V
- vgs (th) (최대) @ id:7V @ 1.38mA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:22 nC @ 15 V
- vgs (최대):±30V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:645 pF @ 100 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):125W (Tc)
- 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 공급자 장치 패키지:TO-252
- 패키지 / 케이스:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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