기술적 세부 사항

• 시리즈:UltraCMOS®
• 꾸러미:Strip
• 부품 상태:Obsolete
• rf 유형:-
• 토폴로지:Absorptive
• 회로:SPDT
• 주파수 범위:9kHz ~ 13.5GHz
• 격리:26dB
• 삽입 손실:1.74dB

• 시험 빈도:13.5GHz
• p1db:33dBm
• iip3:56dBm
• 풍모:-
• 임피던스:50Ohm
• 전압-공급:3V ~ 3.6V
• 작동 온도:-40°C ~ 85°C
• 패키지 / 케이스:14-XFBGA, FCDSBGA
• 공급자 장치 패키지:14-FlipChip (1.1x2)