기술적 세부 사항
- 시리즈:UltraCMOS®, HaRP™
- 꾸러미:Strip
- 부품 상태:Obsolete
- rf 유형:General Purpose
- 토폴로지:Absorptive
- 회로:SPDT
- 주파수 범위:0Hz ~ 7.5GHz
- 격리:28dB
- 삽입 손실:1dB
- 시험 빈도:7.5GHz
- p1db:34dBm
- iip3:65dBm
- 풍모:-
- 임피던스:50Ohm
- 전압-공급:3V ~ 3.6V
- 작동 온도:-40°C ~ 85°C
- 패키지 / 케이스:16-WFQFN Exposed Pad
- 공급자 장치 패키지:16-QFN (3x3)
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