기술적 세부 사항

• 시리즈:-
• 꾸러미:Tray
• 부품 상태:Active
• 다이오드 유형:Silicon Carbide Schottky
• 전압-dc 역방향 (vr) (최대):650 V
• 전류-평균 정류 (io):60A (DC)
• 전압-순방향 (vf) (최대) @ if:1.75 V @ 50 A
• 속도:No Recovery Time > 500mA (Io)

• 역 회복 시간 (trr):0 ns
• 전류-역방향 누설 @ vr:200 µA @ 650 V
• 커패시턴스 @ vr, f:2530pF @ 1V, 100kHz
• 장착 유형:Surface Mount
• 패키지 / 케이스:Die
• 공급자 장치 패키지:Die
• 작동 온도-접합:-55°C ~ 175°C