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기술적 세부 사항

  • 시리즈:-
  • 꾸러미:Tray
  • 부품 상태:Active
  • 다이오드 유형:Silicon Carbide Schottky
  • 전압-dc 역방향 (vr) (최대):1200 V
  • 전류-평균 정류 (io):5A (DC)
  • 전압-순방향 (vf) (최대) @ if:1.75 V @ 5 A
  • 속도:No Recovery Time > 500mA (Io)

 

  • 역 회복 시간 (trr):0 ns
  • 전류-역방향 누설 @ vr:200 µA @ 1200 V
  • 커패시턴스 @ vr, f:337pF @ 1V, 100kHz
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지 / 케이스:Die
  • 공급자 장치 패키지:Die
  • 작동 온도-접합:-55°C ~ 175°C

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