기술적 세부 사항

• 시리즈:-
• 꾸러미:Bulk
• 부품 상태:Active
• 트랜지스터 유형:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• 전류-수집기 (ic) (최대):100mA, 500mA
• 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):50V, 40V
• 저항기-베이스 (r1):10kOhms
• 저항기-이미 터베이스 (r2):10kOhms

• dc 전류 이득 (hfe) (최소) @ ic, vce:30 @ 5mA, 5V, 200 @ 10mA, 2V
• vce 포화 (최대) @ ib, ic:150mV @ 500µA, 10mA, 350mV @ 50mA, 500mA
• 전류-콜렉터 차단 (최대):1µA, 100nA (ICBO)
• 주파수-전환:300MHz
• 전력-최대:300mW
• 장착 유형:Surface Mount
• 패키지 / 케이스:SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지:SOT-666