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기술적 세부 사항

  • 시리즈:-
  • 꾸러미:Bulk
  • 부품 상태:Active
  • 트랜지스터 유형:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • 전류-수집기 (ic) (최대):100mA, 3A
  • 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):50V, 20V
  • 저항기-베이스 (r1):4.7kOhms
  • 저항기-이미 터베이스 (r2):4.7kOhms

 

  • dc 전류 이득 (hfe) (최소) @ ic, vce:30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
  • vce 포화 (최대) @ ib, ic:150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
  • 전류-콜렉터 차단 (최대):1µA, 100nA
  • 주파수-전환:100MHz
  • 전력-최대:1.5W
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지 / 케이스:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지:8-SO

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