- 부품 번호NVMFS6B85NLT1G
- 상표Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명MOSFET N-CH 100V 5.6A/19A 5DFN
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 3,280
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기술적 세부 사항
- 시리즈:Automotive, AEC-Q101
- 꾸러미:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 부품 상태:Active
- fet 유형:N-Channel
- 과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):100 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):5.6A (Ta), 19A (Tc)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):4.5V, 10V
- rds on (최대) @ id, vgs:46mOhm @ 10A, 10V
- vgs (th) (최대) @ id:2.4V @ 250µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:7.9 nC @ 10 V
- vgs (최대):±16V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:480 pF @ 25 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):3.5W (Ta), 42W (Tc)
- 작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 공급자 장치 패키지:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- 패키지 / 케이스:8-PowerTDFN, 5 Leads
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