- 부품 번호NTMFD4C85NT1G
- 상표Rochester Electronics
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- 범주트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
재고: 183,040
즉시 배송 가능
가격:
- 1$2.14
- 1,500$2.14
기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Bulk
- 부품 상태:Obsolete
- fet 유형:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- fet 기능:Standard
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):30V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):15.4A, 29.7A
- rds on (최대) @ id, vgs:3mOhm @ 20A, 10V
- vgs (th) (최대) @ id:2.1V @ 250µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:32nC @ 10V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:1960pF @ 15V
- 전력-최대:1.13W
- 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 패키지 / 케이스:8-PowerTDFN
- 공급자 장치 패키지:8-DFN (5x6)
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