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기술적 세부 사항

  • 시리즈:-
  • 꾸러미:Bag
  • 부품 상태:Active
  • fet 유형:P-Channel
  • 전압-고장 (v (br) gss):30 V
  • 소스 전압으로 드레인 (vdss):-
  • 전류-드레인 (idss) @ vds (vgs = 0):20 mA @ 15 V
  • 전류 드레인 (id)-최대:-

 

  • 전압-차단 (vgs 꺼짐) @ id:5 V @ 10 nA
  • 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:5.5pF @ 10V
  • 저항-rds (on):85 Ohms
  • 전력-최대:350 mW
  • 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Through Hole
  • 패키지 / 케이스:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 공급자 장치 패키지:TO-92

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