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기술적 세부 사항

  • 시리즈:-
  • 꾸러미:Bulk
  • 부품 상태:Active
  • 트랜지스터 유형:PNP
  • 전류-수집기 (ic) (최대):2 A
  • 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):35 V
  • vce 포화 (최대) @ ib, ic:300mV @ 20mA, 2A
  • 전류-콜렉터 차단 (최대):100nA

 

  • dc 전류 이득 (hfe) (최소) @ ic, vce:100 @ 1.5A, 2V
  • 전력-최대:635 mW
  • 주파수-전환:100MHz
  • 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지 / 케이스:8-SMD, Flat Lead
  • 공급자 장치 패키지:ChipFET™

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