- 부품 번호NGTB10N60R2DT4G
- 상표Rochester Electronics
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- 범주트랜지스터-igbts-단일
재고: 2,630
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가격:
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기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Bulk
- 부품 상태:Active
- igbt 유형:-
- 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):600 V
- 전류-수집기 (ic) (최대):20 A
- 전류-컬렉터 펄스 (icm):40 A
- vce (on) (최대) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 10A
- 전력-최대:72 W
- 스위칭 에너지:412µJ (on), 140µJ (off)
- 입력 유형:Standard
- 게이트 요금:53 nC
- td (켜기 / 끄기) @ 25 ° c:48ns/120ns
- 테스트 조건:300V, 10A, 30Ohm, 15V
- 역 회복 시간 (trr):90 ns
- 작동 온도:175°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 패키지 / 케이스:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 공급자 장치 패키지:DPAK
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