- 부품 번호MSCSM120AM027CD3AG
- 상표Roving Networks / Microchip Technology
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3
- 범주트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
재고: 3
즉시 배송 가능
가격:
- 1$1264.43
기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Box
- 부품 상태:Active
- fet 유형:2 N Channel (Phase Leg)
- fet 기능:Silicon Carbide (SiC)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):1200V (1.2kV)
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):733A (Tc)
- rds on (최대) @ id, vgs:3.5mOhm @ 360A, 20V
- vgs (th) (최대) @ id:2.8V @ 9mA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:2088nC @ 20V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:27000pF @1000V
- 전력-최대:2.97kW (Tc)
- 작동 온도:-40°C ~ 175°C (TJ)
- 장착 유형:Chassis Mount
- 패키지 / 케이스:Module
- 공급자 장치 패키지:D3
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