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기술적 세부 사항

  • 시리즈:BIMOSFET™
  • 꾸러미:Tube
  • 부품 상태:Active
  • igbt 유형:-
  • 구성:Full Bridge
  • 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):3000 V
  • 전류-수집기 (ic) (최대):34 A
  • 전력-최대:150 W
  • vce (on) (최대) @ vge, ic:3.2V @ 15V, 20A

 

  • 전류-콜렉터 차단 (최대):-
  • 입력 커패시턴스 (cies) @ vce:-
  • 입력:Standard
  • ntc 서미스터:No
  • 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지 / 케이스:24-SMD Module, 9 Leads
  • 공급자 장치 패키지:24-SMPD

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