- 부품 번호MJD3055TF
- 상표Rochester Electronics
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
- 범주트랜지스터-양극 (bjt)-단일
재고: 43,600
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가격:
- 1$0.28
- 2,000$0.26526
기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Bulk
- 부품 상태:Active
- 트랜지스터 유형:NPN
- 전류-수집기 (ic) (최대):10 A
- 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):60 V
- vce 포화 (최대) @ ib, ic:8V @ 3.3A, 10A
- 전류-콜렉터 차단 (최대):50µA
- dc 전류 이득 (hfe) (최소) @ ic, vce:20 @ 4A, 4V
- 전력-최대:1.75 W
- 주파수-전환:2MHz
- 작동 온도:150°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 패키지 / 케이스:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 공급자 장치 패키지:D-Pak
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