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기술적 세부 사항

  • 시리즈:-
  • 꾸러미:Box
  • 부품 상태:Active
  • igbt 유형:PT
  • 구성:Half Bridge
  • 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):1200 V
  • 전류-수집기 (ic) (최대):360 A
  • 전력-최대:1100 W
  • vce (on) (최대) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 225A

 

  • 전류-콜렉터 차단 (최대):300 µA
  • 입력 커패시턴스 (cies) @ vce:-
  • 입력:Standard
  • ntc 서미스터:Yes
  • 작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스:Module
  • 공급자 장치 패키지:Module

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