- 부품 번호MGSF1N02LT1G
- 상표Rochester Electronics
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 25,405
즉시 배송 가능
가격:
- 1$0.12
- 3,000$0.03692
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- 15,000$0.03265
- 30,000$0.03009
- 75,000$0.02903
기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Bulk
- 부품 상태:Active
- fet 유형:N-Channel
- 과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):20 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):750mA (Ta)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):4.5V, 10V
- rds on (최대) @ id, vgs:90mOhm @ 1.2A, 10V
- vgs (th) (최대) @ id:2.4V @ 250µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:-
- vgs (최대):±20V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:125 pF @ 5 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):400mW (Ta)
- 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 공급자 장치 패키지:SOT-23-3 (TO-236)
- 패키지 / 케이스:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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