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기술적 세부 사항

  • 시리즈:-
  • 꾸러미:Tube
  • 부품 상태:Active
  • 트랜지스터 유형:NPN
  • 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):15V
  • 주파수-전환:1GHz
  • 잡음 지수 (db typ @ f):3.3dB @ 836MHz
  • 이득:11.6dB

 

  • 전력-최대:6.4W
  • dc 전류 이득 (hfe) (최소) @ ic, vce:100 @ 250mA, 3V
  • 전류-수집기 (ic) (최대):1.2A
  • 작동 온도:150°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지 / 케이스:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지:8-SOIC-EP

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