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기술적 세부 사항

  • 시리즈:-
  • 꾸러미:Tray
  • 부품 상태:Active
  • 커패시턴스 @ vr, f:3.7pF @ 4V, 1MHz
  • 커패시턴스 비율:11
  • 커패시턴스 비율 조건:C2/C20
  • 전압-피크 역 (최대):22 V

 

  • 다이오드 유형:Single
  • q @ vr, f:2000 @ 4V, 50MHz
  • 작동 온도:-65°C ~ 175°C
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지 / 케이스:Die
  • 공급자 장치 패키지:Chip

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