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기술적 세부 사항

  • 시리즈:BIMOSFET™
  • 꾸러미:Tube
  • 부품 상태:Active
  • igbt 유형:-
  • 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):1700 V
  • 전류-수집기 (ic) (최대):42 A
  • 전류-컬렉터 펄스 (icm):265 A
  • vce (on) (최대) @ vge, ic:6V @ 15V, 21A
  • 전력-최대:357 W
  • 스위칭 에너지:3.43mJ (on), 430µJ (off)

 

  • 입력 유형:Standard
  • 게이트 요금:188 nC
  • td (켜기 / 끄기) @ 25 ° c:19ns/200ns
  • 테스트 조건:850V, 21A, 1Ohm, 15V
  • 역 회복 시간 (trr):330 ns
  • 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지 / 케이스:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • 공급자 장치 패키지:TO-268

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