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기술적 세부 사항

  • 시리즈:BIMOSFET™
  • 꾸러미:Tube
  • 부품 상태:Active
  • igbt 유형:-
  • 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):3000 V
  • 전류-수집기 (ic) (최대):30 A
  • 전류-컬렉터 펄스 (icm):100 A
  • vce (on) (최대) @ vge, ic:3.2V @ 15V, 12A
  • 전력-최대:160 W
  • 스위칭 에너지:-

 

  • 입력 유형:Standard
  • 게이트 요금:62 nC
  • td (켜기 / 끄기) @ 25 ° c:64ns/180ns
  • 테스트 조건:1250V, 12A, 10Ohm, 15V
  • 역 회복 시간 (trr):1.4 µs
  • 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지 / 케이스:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • 공급자 장치 패키지:TO-268

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