기술적 세부 사항

• 시리즈:BIMOSFET™
• 꾸러미:Bulk
• 부품 상태:Active
• igbt 유형:-
• 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):1700 V
• 전류-수집기 (ic) (최대):16 A
• 전류-컬렉터 펄스 (icm):40 A
• vce (on) (최대) @ vge, ic:6V @ 15V, 10A
• 전력-최대:150 W
• 스위칭 에너지:1.2mJ (off)

• 입력 유형:Standard
• 게이트 요금:65 nC
• td (켜기 / 끄기) @ 25 ° c:15ns/160ns
• 테스트 조건:1360V, 10A, 10Ohm, 15V
• 역 회복 시간 (trr):360 ns
• 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형:Through Hole
• 패키지 / 케이스:TO-247-3
• 공급자 장치 패키지:TO-247AD (IXBH)