기술적 세부 사항

• 시리즈:BIMOSFET™
• 꾸러미:Tube
• 부품 상태:Active
• igbt 유형:-
• 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):3000 V
• 전류-수집기 (ic) (최대):40 A
• 전류-컬렉터 펄스 (icm):250 A
• vce (on) (최대) @ vge, ic:3.2V @ 15V, 32A
• 전력-최대:160 W
• 스위칭 에너지:-

• 입력 유형:Standard
• 게이트 요금:142 nC
• td (켜기 / 끄기) @ 25 ° c:-
• 테스트 조건:-
• 역 회복 시간 (trr):1.5 µs
• 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형:Through Hole
• 패키지 / 케이스:i4-Pac™-5 (3 Leads)
• 공급자 장치 패키지:ISOPLUS i4-PAC™