기술적 세부 사항

• 시리즈:BIMOSFET™
• 꾸러미:Tube
• 부품 상태:Active
• igbt 유형:NPT
• 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):3000 V
• 전류-수집기 (ic) (최대):38 A
• 전류-컬렉터 펄스 (icm):120 A
• vce (on) (최대) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 14A
• 전력-최대:200 W
• 스위칭 에너지:-

• 입력 유형:Standard
• 게이트 요금:62 nC
• td (켜기 / 끄기) @ 25 ° c:40ns/166ns
• 테스트 조건:960V, 14A, 20Ohm, 15V
• 역 회복 시간 (trr):1.4 µs
• 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형:Surface Mount
• 패키지 / 케이스:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지:TO-263