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기술적 세부 사항

  • 시리즈:-
  • 꾸러미:Tray
  • 부품 상태:Active
  • 메모리 유형:Volatile
  • 메모리 형식:DRAM
  • 과학 기술:SDRAM - DDR
  • 메모리 크기:512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스:Parallel

 

  • 클록 주파수:200 MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지:15ns
  • 액세스 시간:700 ps
  • 전압-공급:2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도:-40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지 / 케이스:66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지:66-TSOP II

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