- 부품 번호IS43R86400E-5BLI
- 상표ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
- 범주기억
재고: 3,434
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가격:
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기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Tray
- 부품 상태:Active
- 메모리 유형:Volatile
- 메모리 형식:DRAM
- 과학 기술:SDRAM - DDR
- 메모리 크기:512Mb (64M x 8)
- 메모리 인터페이스:Parallel
- 클록 주파수:200 MHz
- 쓰기주기 시간-단어, 페이지:15ns
- 액세스 시간:700 ps
- 전압-공급:2.3V ~ 2.7V
- 작동 온도:-40°C ~ 85°C (TA)
- 장착 유형:Surface Mount
- 패키지 / 케이스:60-TFBGA
- 공급자 장치 패키지:60-TFBGA (8x13)
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