기술적 세부 사항

• 시리즈:HEXFET®
• 꾸러미:Bulk
• 부품 상태:Active
• fet 유형:N-Channel
• 과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
• 소스 전압으로 드레인 (vdss):55 V
• 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):44A (Tc)
• 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):10V
• rds on (최대) @ id, vgs:27mOhm @ 26A, 10V
• vgs (th) (최대) @ id:4V @ 250µA

• 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:65 nC @ 10 V
• vgs (최대):±20V
• 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:1.3 pF @ 25 V
• fet 기능:-
• 전력 손실 (최대):107W (Tc)
• 작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형:Through Hole
• 공급자 장치 패키지:IPAK (TO-251)
• 패키지 / 케이스:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA