- 부품 번호IRFHE4250DTRPBF
- 상표Rochester Electronics
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명HEXFET POWER MOSFET
- 범주트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
재고: 9,000
즉시 배송 가능
가격:
- 1$1.79
기술적 세부 사항
- 시리즈:HEXFET®
- 꾸러미:Bulk
- 부품 상태:Active
- fet 유형:2 N-Channel (Dual)
- fet 기능:Standard
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):25V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):86A (Tc), 303A (Tc)
- rds on (최대) @ id, vgs:2.75mOhm @ 27A, 10V, 900µOhm @ 27A, 10V
- vgs (th) (최대) @ id:2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:20nC, 53nC @ 4.5V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
- 전력-최대:156W (Tc)
- 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 패키지 / 케이스:32-PowerVFQFN
- 공급자 장치 패키지:32-PQFN (6x6)
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