- 부품 번호IRFD120PBF
- 상표Vishay / Siliconix
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
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기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Tube
- 부품 상태:Active
- fet 유형:N-Channel
- 과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):100 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):1.3A (Ta)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):10V
- rds on (최대) @ id, vgs:270mOhm @ 780mA, 10V
- vgs (th) (최대) @ id:4V @ 250µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:16 nC @ 10 V
- vgs (최대):±20V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:360 pF @ 25 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):1.3W (Ta)
- 작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 장착 유형:Through Hole
- 공급자 장치 패키지:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
- 패키지 / 케이스:4-DIP (0.300", 7.62mm)
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