- 부품 번호IRF8910PBF
- 상표Rochester Electronics
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명HEXFET POWER MOSFET
- 범주트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
재고: 2,126
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가격:
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- 1,000$0.1643
기술적 세부 사항
- 시리즈:HEXFET®
- 꾸러미:Tube
- 부품 상태:Obsolete
- fet 유형:2 N-Channel (Dual)
- fet 기능:Logic Level Gate
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):20V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):10A
- rds on (최대) @ id, vgs:13.4mOhm @ 10A, 10V
- vgs (th) (최대) @ id:2.55V @ 250µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:11nC @ 4.5V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:960pF @ 10V
- 전력-최대:2W
- 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 패키지 / 케이스:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 공급자 장치 패키지:8-SO
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