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기술적 세부 사항

  • 시리즈:HEXFET®
  • 꾸러미:Tube
  • 부품 상태:Obsolete
  • fet 유형:2 N-Channel (Dual)
  • fet 기능:Logic Level Gate
  • 소스 전압으로 드레인 (vdss):20V
  • 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):7A
  • rds on (최대) @ id, vgs:30mOhm @ 7A, 4.5V

 

  • vgs (th) (최대) @ id:1.2V @ 250µA
  • 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:20nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:1340pF @ 16V
  • 전력-최대:2W
  • 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지 / 케이스:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지:8-SO

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